(d)在0.05-5Ag-1時(shí),輕人CoPSe/NC和CoSe2/NC的倍率性能。其中,屬于過渡金屬硫化物/硒化物(TMS/TMSe)因其理論比容量高、電子性能多樣性和成本低等優(yōu)點(diǎn)而成為SIB和PIB的有希望的電極材料。盡管已取得了一定的研究進(jìn)展,????但是探索具優(yōu)異的循環(huán)和倍率性能的SIB和PIB的新型電極材料仍然具有挑戰(zhàn)性。

今天奮斗的年輕人,未來的多少機(jī)會(huì)屬于他們? ????

通過多種陽離子摻雜、今天機(jī)納米結(jié)構(gòu)優(yōu)化、今天機(jī)碳修飾和工作電壓調(diào)節(jié),構(gòu)建具有原子級(jí)界面工程和電場(chǎng)效應(yīng)的單相三元材料被認(rèn)為是提高電化學(xué)性能的有效策略。(b)在0.1Ag-1時(shí),奮斗CoPSe/NC和CoSe2/NC的循環(huán)性能和庫侖效率。

今天奮斗的年輕人,未來的多少機(jī)會(huì)屬于他們? ????

【成果簡(jiǎn)介】近日,年多少中國(guó)同濟(jì)大學(xué)楊金虎教授(通訊作者)等人研究表明,年多少嵌入金屬-有機(jī)骨架(MOF)的N摻雜碳基體(CoPSe/NC)層中的納米顆粒的單相三價(jià)硒化鈷(CoPSe)代表了超穩(wěn)定、高倍率的SIB/PIB負(fù)極材料。

CoPSe/NC復(fù)合材料具有機(jī)械應(yīng)力更低、輕人離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)更快、放電電壓更低、更高的電導(dǎo)率和無穿梭性能。(b)在不同循環(huán)次數(shù)下,屬于SiOx/C電極的電壓-比容量曲線。

結(jié)果表明,????去除原始鈍化層后,Si顆??梢詫?shí)現(xiàn)可控氧化,生成均勻的SiOx。今天機(jī)研究成果以題為ManipulatingOxidationofSiliconwithFreshSurfaceEnablingStableBatteryAnode發(fā)布在國(guó)際著名期刊NanoLetters上。

圖二、奮斗SiOx/C復(fù)合材料的表征(a)初始Si材料和SiOx/C復(fù)合材料的XRD圖譜。年多少(b)具有新鮮表面硅顆粒的可控氧化和同步碳包覆過程示意圖。

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