佛山鄭州輕工業(yè)學院的ShaomingFang和澳大利亞伍倫貢大學的侴術雷（共同通訊作者）構建了二維氧化鈦-碳超晶格在介孔TiO2@C空心納米球中垂直取向排列的新型結構。文獻鏈接：電網(wǎng)動MultilevelHollowMXeneTailoredLow-PtCatalystfor?EfficientHydrogenEvolutioninFull-pHRangeandSeawaterNanoEnergy：電網(wǎng)動刻蝕處理的空心納米立方可作為雙功能催化載體C-(Fe-Ni)P@PC/(Ni-Co)P@CC的結構表征電解水產(chǎn)氫過程由析氫（HER）和析氧（OER）兩個反應組成，這一過程在室溫下需要至少1.23V的熱力學工作電壓進行驅動。更重要的是，立電理論和實驗證據(jù)均表明嵌入的磷化鈷納米顆粒作為電催化劑不僅可以有效錨定多硫化物，還可以催化改變多硫化鋰。

文獻鏈接：目正Template-guidedsynthesisofConanoparticlesembeddedinhollow?nitrogendopedcarbontubesasahighlyefficientcatalystforrechargeable?Zn-airbatteriesAdv.Funct.Mater.：目正空心MXene作為全pH范圍的高效催化劑超快氣溶膠干燥技術用于多級空心MXene作為新興的二維功能材料，MXene受到了從可再生能源到催化再到生物醫(yī)學領域的廣泛關注。此外，式啟這一材料在多種有機電解質中也具有良好的ORR表現(xiàn)，表明其作為下一代鋰-空氣電池的材料具有巨大的發(fā)展前景。

盡管核殼材料發(fā)展迅速，南網(wǎng)南海能項但外殼能夠在單一反應系統(tǒng)中表現(xiàn)出3種及以上功能的工作卻鮮少報道。

基于管定向模板法，儲能側獨池儲表面活性劑處理的聚吡咯納米管可以作為結構導向模板用于高效捕捉鈷離子，儲能側獨池儲捕捉到的鈷離子可在納米管中進行原位生長形成沸石框架（ZIF-67）納米晶。▲圖為高通第二代驍龍XR2平臺預計三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端，公司廣東以應對Meta的Quest和蘋果的VisionPro等產(chǎn)品。

據(jù)韓媒etnews今日報道，佛山三星和LG已被證實正在開發(fā)基于高通芯片的XR設備。高通技術公司副總裁兼XR部門總經(jīng)理司宏國（HugoSwart）日前在美國毛伊島上的活動中表示，電網(wǎng)動關于合作目前不能透露細節(jié)，電網(wǎng)動但我們確實在與三星電子、LG電子合作。

同時，立電司宏國稱目前計劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，立電將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進，預計在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會優(yōu)于第二代芯片。司宏國表示，目正LG在多個領域具有專長，而三星自從宣布與高通、谷歌合作以來，就已經(jīng)取得了很多進展。