干媽?圖二十三Ge/Si核/殼納米線(xiàn)晶體管中Si殼結(jié)晶度和形貌對(duì)性能的影響。獲得香港青年科學(xué)家獎(jiǎng)最終入圍獎(jiǎng)、事件香港城市大學(xué)最佳博士畢業(yè)論文獎(jiǎng)、周亦卿研究生院獎(jiǎng)、卓越學(xué)術(shù)研究一等獎(jiǎng)、杰出學(xué)術(shù)表現(xiàn)獎(jiǎng)等多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。還離e)基于QBS小分子的OFET的輸出特性曲線(xiàn)。

真正的商戰(zhàn),比騰訊老干媽事件還離譜

受突觸間隙中神經(jīng)遞質(zhì)的流動(dòng)與半導(dǎo)體中電荷的動(dòng)態(tài)輸運(yùn)和捕獲操作之間的相似性的啟發(fā),真正戰(zhàn)雙極型晶體管也具有人工突觸仿真的巨大潛力。比騰e)通過(guò)在電極和活性層之間插入額外的電子注入層來(lái)增強(qiáng)電子注入的設(shè)計(jì)機(jī)制的示意圖;基于BP3T的雙極型有機(jī)單晶晶體管的輸出特性曲線(xiàn)。

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訊老c)上述兩個(gè)部分之間的不同共聚比對(duì)電荷遷移率(左)和極性平衡(右)的影響。

干媽b)PDBD-T和PDBD-Se的化學(xué)結(jié)構(gòu)和基于PDBD-Se薄膜的OFET的輸出特性曲線(xiàn)。事件這應(yīng)該也是海思麒麟955使用更先進(jìn)的16nm工藝的原因。

處理器核心架構(gòu)推斷接下來(lái),還離就到了變數(shù)最大的一步:推測(cè)核心架構(gòu)。因?yàn)槿绻渖a(chǎn)工藝是20nm,真正戰(zhàn)理智的做法就是不要加太多高功耗的核心在里面,而是和聯(lián)發(fā)科一樣只使用兩顆,否則20nm會(huì)壓不住它的發(fā)熱量。

我覺(jué)得沒(méi)什么懸念,比騰也會(huì)使用MaliT880,或者PowerVR的低端GPU。訊老還差最后一個(gè)東西GPU。

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