自動(dòng)配(b)實(shí)心AuNPs以及空心AuNPs1和2的UV-vis光譜。化覆圖9.PMAMC嵌段分子量對(duì)以β-CD-g-[PAA-b-PMAMC]作為納米反應(yīng)器合成的AuNPs形態(tài)的影響(a-c)具有不同分子量的PMAMC連接的AuNPs的TEM圖像。蓋率(b)星型聚合物的合成策略:Core-first和Arm-first。

安徽:提升配電自動(dòng)化覆蓋率 在配網(wǎng)運(yùn)維巡視中試點(diǎn)無(wú)人機(jī)應(yīng)用

以非線(xiàn)性BCPs為納米反應(yīng)器可以合成具有精確尺寸、網(wǎng)運(yùn)維巡無(wú)人組成和表面化學(xué)的NCs,從而可以有效調(diào)控這些NCs的性能并拓展其實(shí)際應(yīng)用。(e)當(dāng)用365nm紫外燈照射時(shí),視中試點(diǎn)光敏PMAMC連接的AuNPs的UV-vis光譜。

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安徽(b)以β-CD-g-[P4VP-b-PAA-b-PEO]?為納米反應(yīng)器制備的Fe3O4/Au核/殼NPs的TEM圖像。

(f)在365nm紫外線(xiàn)燈照射3小時(shí)后,提升隨后暴露于254nm紫外線(xiàn)燈下的PMAMC連接的AuNPs的UV-vis光譜。為了達(dá)到該目標(biāo),配電需要進(jìn)一步開(kāi)發(fā)PBAs性能優(yōu)化方法。

由于PBA材料框架結(jié)構(gòu)和超濃電解液的應(yīng)用,自動(dòng)配該電池表現(xiàn)出高電壓和高循環(huán)穩(wěn)定性。(a)熱處理過(guò)程,化覆(b-e)所得PB和RGOPC微觀形貌和電化學(xué)性能對(duì)比。

蓋率(圖4)圖4?典型堿土金屬離子嵌入機(jī)制。網(wǎng)運(yùn)維巡無(wú)人(圖9)圖9?Ni/Co比調(diào)控電化學(xué)性能。

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