池通圖3室溫和低溫下背門雙層MoS2晶體管的直流電特性(a)具有不同溝道長度的背門MoS2晶體管的光學顯微照片(比例尺為10μm)。證3洲客該工作展示了CVD雙層MoS2在高頻應用和靈活無線通信方面的巨大潛力。為歐(f-g)轉(zhuǎn)移后SiO2/Si襯底上雙層MoS2的AFM圖像(比例尺為1μm)。

斗山氫燃料電池通過CE認證 3月將為歐洲客戶陸續(xù)交付

比例尺分別為30、戶陸40、50和100μm)?!疽浴慷S半導體因其原子級的薄體和優(yōu)異的載體傳輸性能而在諸如傳感器、續(xù)交存儲器以及邏輯應用等新興的電子產(chǎn)品領(lǐng)域應用中受到極大的關(guān)注。

斗山氫燃料電池通過CE認證 3月將為歐洲客戶陸續(xù)交付

基于CVD生長單層MoS2的柔性聚酰亞胺基板上的射頻晶體管參數(shù)仍遠低于基于剝離MoS2的器件,斗山因而嚴重限制了它們的高頻應用。

氫燃(f)提取的固有場效應遷移率與雙層MoS2FET溫度的關(guān)系圖。(b)在電壓范圍為3.0-4.6V(相對于Li+/Li)條件下,料電掃描速率為0.1mVs-1時具有2%LAF-LCO電極的電池循環(huán)伏安圖。

池通(c)具有單純2%LAF-LCOLCO電極的全電池的工作電壓和比能量。證3洲客(l)(j)圖中標記3和4區(qū)域的電子衍射圖案。

為歐(k)(i)圖中標記1和2區(qū)域的電子衍射圖案。戶陸(b)Al2p峰(包括Co3psat峰)的精細XPS掃描。

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