b240nm半徑的光纖尖端和700nm的激發(fā)和收集曲線的模擬;c低溫環(huán)境(T=5K)下通過器件并通過光纖采集的白光(如圖所示)光譜;d5K條件下光纖收集到的PL;e當(dāng)通過增加壓電定位器電壓來推動光纖設(shè)備時，銷分XA:1s透過峰的能量隨著纖維位移的增加而降低;f對于e中相同的光纖位移，銷分PL中X0和X?的能量減小;圖2?應(yīng)變誘導(dǎo)激子響應(yīng)在T=5K時的透射率和可調(diào)性的PL譜??2022TheAuthorsa對于器件D3，當(dāng)Vp=0(在異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光纖接觸之前)和Vp=10V時，XA:1s的透過峰;b光纖收集到的PL在Vp=0處有一個特征X0，與XA:1s的能量相匹配;cPL譜隨壓電定位器電壓的變化呈現(xiàn)出兩個特征分支;圖3?用偏振選擇性PL光譜法測量躍遷偶極矩??2022TheAuthorsa利用偏振選擇性共聚焦從WSe2單層側(cè)面收集光的方案;b在器件形變(Vp=0)之前，選擇X偏振光時出現(xiàn)X?，選擇z偏振光時出現(xiàn)D0;c在Vp=10V時，紅移特征(1.6eV)的z極化程度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于水平分量(~1.7eV);圖4?暗和亮激子穿越局部應(yīng)變??2022TheAuthorsa時間分辨PL;bhBN/WSe2/hBN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中應(yīng)變的有限元建模;c由纖維面引起的應(yīng)變誘導(dǎo)能量勢示意圖。當(dāng)單層被光纖推動時，別完其最低能態(tài)位移高達(dá)390meV(WSe2單層帶隙的20%)。月燃在低溫環(huán)境中動態(tài)應(yīng)用應(yīng)變方面的重要進(jìn)展迄今仍停留在低應(yīng)變狀態(tài)(0.5%)。

最后，料電輛2輛作者揭示了暗激子在穿越應(yīng)變場的能量傳輸中所扮演的角色。這種特殊的可調(diào)諧性，池汽車產(chǎn)成從可見光到近紅外，突出了二維材料實現(xiàn)新型光電器件的潛力。

值得注意的是，銷分利用應(yīng)變，作者實現(xiàn)了高達(dá)390meV的暗激子PL峰紅移，這相當(dāng)于未應(yīng)變的WSe2單層帶隙的20%。

本文結(jié)果還表明，別完MoSe2單層中應(yīng)變誘導(dǎo)單光子源的缺乏可能源于暗激子不是該系統(tǒng)中最低能量激子狀態(tài)的事實，別完這為一些理論著作中提出的解釋提供了另一種解釋。因此能深入的研究材料中的反應(yīng)機(jī)理，月燃結(jié)合使用高難度的實驗工作并使用原位表征等有力的技術(shù)手段來實時監(jiān)測反應(yīng)過程，月燃同時加大力度做基礎(chǔ)研究并全面解釋反應(yīng)機(jī)理是發(fā)表高水平文章的主要途徑。

目前材料的形貌表征已經(jīng)是絕大多數(shù)材料科學(xué)研究的必備支撐數(shù)據(jù)，料電輛2輛一個新穎且引人入勝的形貌電鏡圖也是發(fā)表高水平論文的不二法門。利用同步輻射技術(shù)來表征材料的缺陷，池汽車產(chǎn)成化學(xué)環(huán)境用于機(jī)理的研究已成為目前的研究熱點。

原位XRD技術(shù)是當(dāng)前儲能領(lǐng)域研究中重要的分析手段，銷分它不僅可排除外界因素對電極材料產(chǎn)生的影響，銷分提高數(shù)據(jù)的真實性和可靠性，還可對電極材料的電化學(xué)過程進(jìn)行實時監(jiān)測，在電化學(xué)反應(yīng)的實時過程中針對其結(jié)構(gòu)和組分發(fā)生的變化進(jìn)行表征，從而可以有更明確的對體系的整體反應(yīng)進(jìn)行分析和處理，并揭示其本征反應(yīng)機(jī)制。目前，別完陳忠偉課題組在對鋰硫電池的研究中取得了突破性的進(jìn)展，別完研究人員使用原位XRD技術(shù)對小分子蒽醌化合物作為鋰硫電池正極的充放電過程進(jìn)行表征并解釋了其反應(yīng)機(jī)理（NATURECOMMUN.,2018,9,705），如圖二所示。