終于（f）相對于時(shí)間變化的OCV導(dǎo)數(shù)圖。圖三、對熊單層Bi2WO6納米片和Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片的化學(xué)組成（a-d）單層Bi2WO6納米片和Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片高分辨率Bi4f（a），對熊W4f（b），S2s（c）和O1s（d）的XPS光譜，（e，f）晶體結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的單層Bi2WO6納米片和Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片的Mulliken和Hirshfeld電荷。圖五、出手單層Bi2WO6納米片和Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片原位KPFM測量（a，出手b）單層Bi2WO6納米片和Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片在黑暗和激光照射下的AFM和KPFM圖像。

【引言】經(jīng)過幾十年的發(fā)展，終于納米材料的合成制備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了其組分、尺寸和形貌上的精確控制。圖二、對熊單層Bi2WO6納米片和Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片的表征（a-c）單層Bi2WO6納米片（a）SEM，（b）TEM和（c）AFM圖像。

出手（j）反應(yīng)時(shí)間為1h的較厚Bi2WO6-Bi2O2S納米片的XRD圖譜和相應(yīng)的模擬結(jié)構(gòu)。

圖六、終于Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片電荷演示（a）具有相似吸收系數(shù)的Bi2WO6-Bi2O2S2D-2D異質(zhì)結(jié)納米片以365nmLED為光源時(shí)的暗電流和光電流密度曲線。對熊此framework摻雜研究為水相正極材料的開發(fā)提供了新的思路。

(Ni)MnO2在0.2Ag-1的電流密度以及1.6V的電壓區(qū)間內(nèi)以2000次充放電循環(huán)后仍有63mAhg-1的電容量，出手同時(shí)在高電流密度1Ag-1下顯示了5000次充放電后的穩(wěn)定性能。由于有限的氧化還原能力，終于二氧化錳Birnessite在水相鈉離子電池的電容量比較低，終于通過改變電極的幾何結(jié)構(gòu)或者添加碳材料增加導(dǎo)電性等可以解決這個(gè)問題，也可以摻雜Ni或Co來增加導(dǎo)電性和氧化還原活性。

成果簡介近期，對熊新罕布什爾大學(xué)XiaoweiTeng教授報(bào)導(dǎo)了Ni摻雜的(Ni)MnO2層狀Birnessite正極材料可以顯著提高水相鈉離子儲(chǔ)能。更加重要的，出手原位XRD以及XPDF顯示(Ni)MnO2電極在充放電過程保持著穩(wěn)定的long-range和local結(jié)構(gòu)，也揭示了其優(yōu)異的電化學(xué)性能。