這使得單分子電導(dǎo)的門(mén)控可以基于量子干涉效應(yīng)，被罵不想背鍋而非基于傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)管中的在劉子密度，被罵不想背鍋從而測(cè)量了單分子的傳遞函數(shù)并直接研究了最顯著的量子干涉特征，包括相消干涉的反共振現(xiàn)象。(6)JieBai,AbdalghaniDaaoub,SaraSangtarash,XiaohuiLi,YongxiangTang,QiZou,HatefSadeghi,ShuaiLiu,XiaojuanHuang,ZhibingTan,JunyangLiu,YangYang,JiaShi,GáborMészáros,WenboChen,ColinLambertWenjingHong.?Anti-resonancefeaturesofdestructivequantuminterferenceinsingle-moleculethiophenejunctionsachievedbyelectrochemicalgating.NatureMaterials(2019)(justpublished)(7)BingHuang,XuLiu,YingYuan,Ze-WenHong,Ju-FangZheng,Lin-QiPei,YongShao,Jian-FengLi,Xiao-ShunZhou,Jing-ZheChen,ShanJin,andBing-WeiMao.ControllingandObservingSharp-ValleyedQuantumInterferenceEffectinSingleMolecularJunctions.J.Am.Chem.Soc.,2018,140(50),pp17685–17690本文由材料人計(jì)算組大兵哥供稿，為黃材料牛整理編輯。曉明圖三：對(duì)位和間位的I-V特征（a-b）Para和Meta的二維I-V直方圖。

歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀，被罵不想背鍋投稿郵箱：[email protected]投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信：cailiaokefu。通過(guò)調(diào)整分子進(jìn)出反共振，為黃作者實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)數(shù)量級(jí)的電導(dǎo)連續(xù)控制，亞閾值擺幅為~17mVdec-1，這些特性與高速和低功率電子器件相關(guān)。

文獻(xiàn)鏈接：曉明Gatecontrollingofquantuminterferenceanddirectobservationofanti-resonancesinsinglemoleculechargetransport(Nat.Mater.,2019,DOI:10.1038/s41563-018-0280-5)團(tuán)隊(duì)介紹：曉明我們這次工作由美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)生物設(shè)計(jì)研究所、南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院的陶農(nóng)建教授團(tuán)隊(duì)，復(fù)旦大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室的周剛教授團(tuán)隊(duì)和日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的YoshihiroASAI教授團(tuán)隊(duì)合作完成。

被罵不想背鍋這一發(fā)現(xiàn)揭示了量子干涉的獨(dú)特特征。為黃（b）高分辨率EELS的FeSe/ST16O（＃isotope_16）和FeSe/ST18O（＃isotope_18）的電子能量損失譜圖。

曉明（b）費(fèi)米動(dòng)量k1的不同樣品的EDCs與文獻(xiàn)中Tc=60±5K的樣品EDCs的比較圖。（c）圍繞M的EDCs，被罵不想背鍋用于強(qiáng)度分析的背景，扣除背景的光電子譜，以及相應(yīng)的擬合。

為黃圖2FeSe厚膜和各種1MLFeSe/ST16O樣品的復(fù)制帶強(qiáng)度（a）不同樣品在費(fèi)米能量處的光電子譜強(qiáng)度。曉明【圖文導(dǎo)讀】圖1聲子特征的同位素依賴(lài)性（a）在SrTi16O3（ST16O）或SrTi18O3（ST18O）膜的60個(gè)單位晶胞上生長(zhǎng)的單層FeSe膜的示意圖。