VC還原羥基（a），段永VC還原環(huán)氧基團(tuán)（b），氧化石墨烯還原前后的結(jié)構(gòu)圖（c）。在該石墨烯導(dǎo)熱片制備過(guò)程中，平假VC預(yù)還原氧化石墨烯，降低了熱處理過(guò)程中含氧官能團(tuán)分解時(shí)氣體集中逸出產(chǎn)生的壓力，減少了對(duì)膜的破壞。投資rGO-1VC-20-2800的熱模擬分析圖（e）。

DOI:10.1039/d2tc04819a主要結(jié)論：段永1.本文通過(guò)無(wú)模板的方法，優(yōu)化還原劑VC的添加量，僅用200°C的熱處理溫度即可得到孔徑均勻的還原氧化石墨烯泡沫。然而，平假當(dāng)濃度為40wt%，GF-40的EMISE可達(dá)71dB，兩個(gè)方向上的熱導(dǎo)率分別為32.13W·m?1·K?1和31.46W·m?1·K?1。

投資不同ARMP含量的GF在不同方向上的熱擴(kuò)散系數(shù)(c)和熱導(dǎo)率(d)。

還利用VC的還原性與其還原產(chǎn)物性的自粘結(jié)性，段永制備了超厚的石墨烯導(dǎo)熱膜。另外，平假用戶(hù)還可通過(guò)安裝當(dāng)貝市場(chǎng)拓展更多盒子內(nèi)容，熱門(mén)綜藝、熱播劇集、游戲娛樂(lè)等APP一鍵免費(fèi)下載

二、投資【成果掠影】近日，投資韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)Gwan-HyoungLee團(tuán)隊(duì)提出了一種方法，通過(guò)封裝退火對(duì)隨機(jī)堆疊的過(guò)渡金屬二硫化物多層膜進(jìn)行熱誘導(dǎo)原子重建，獲得具有零扭轉(zhuǎn)角的完全相稱(chēng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，整個(gè)過(guò)程不受堆疊樣品扭轉(zhuǎn)角和晶格錯(cuò)配的影響，在整個(gè)堆疊區(qū)域產(chǎn)生H型或R型完美排列的晶體取向，而在相鄰層中產(chǎn)生相反的應(yīng)變。段永相關(guān)研究成果以Thermallyinducedatomicreconstructionintofullycommensuratestructuresoftransitionmetaldichalcogenidelayers為題發(fā)表在國(guó)際著名期刊NatureMaterials上。

平假偽彩區(qū)域表示R-stack(黃色)和H-stack(藍(lán)色)WSe2/MoSe2異質(zhì)層。五、投資【成果啟示】該研究展示了一種通過(guò)隨機(jī)堆疊的TMD層的封裝退火來(lái)實(shí)現(xiàn)零扭轉(zhuǎn)角和零晶格錯(cuò)配的FC結(jié)構(gòu)的方法。