石墨烯可用作電極或電極與電介質(zhì)之間的界面層,科技以阻止原子擴(kuò)散并限制導(dǎo)電細(xì)絲的數(shù)量。成果(d)制造的2D基于GaSe的FET和在空氣中暴露一周的器件的傳輸特性。除了TMD之外,貸款2D層狀I(lǐng)II-VI半導(dǎo)體材料由于其較好的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)而備受關(guān)注。

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在此,最高轉(zhuǎn)化政策作者采用機(jī)械剝離的二維層狀GaSe納米片制備了基于GaSe的三端子記憶晶體管。貼息貼息圖四:GaSe憶阻器RS機(jī)制的原理圖(a)Vds=0的初始狀態(tài)。

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【成果簡介】近日,山東實施四川師范大學(xué)接文靜副教授聯(lián)合香港理工大學(xué)郝建華教授將憶阻器和場效應(yīng)晶體管(FET)的概念與二維(2D)層狀材料作為有源半導(dǎo)體層相結(jié)合,山東實施提出了一種多端子混合系統(tǒng)——憶阻管和場效應(yīng)晶體管(FET)。

【研究背景】由于低功耗,科技高速度和優(yōu)越的可擴(kuò)展性,憶阻器在非易失性存儲器、邏輯器件和計算中的廣泛應(yīng)用。成果張峰個人社交平臺主頁。

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