挑戰(zhàn)(b)具有EDS圖案的非晶SiOC基質(zhì)的高分辨率圖像。被顛其詳細(xì)的微觀結(jié)構(gòu)可以用納米域模型來表示。研究已經(jīng)證明,工業(yè)減小粒徑是縮短Li+擴(kuò)散長(zhǎng)度和增強(qiáng)某些電極材料的電化學(xué)活性的有效策略。

被顛覆的未來:工業(yè)4.0產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

實(shí)際上,產(chǎn)業(yè)硅氧化物已經(jīng)與石墨混合(通常含量低于10%)并用于商業(yè)化的LIBs中。在本綜述最后,挑戰(zhàn)作者提出了對(duì)基于硅氧化物的負(fù)極材料進(jìn)行了總結(jié)和展望。

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通常認(rèn)為L(zhǎng)ixSi是硅酸鋰(Li4SiO4、被顛Li2Si2O5、Li6Si2O7、Li2SiO3)和Li2O在SiO的第一次鋰化過程中形成的。

?Figure7.(a)PVDF、工業(yè)PVA、CMCNa和PAA粘合劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)。產(chǎn)業(yè)d)360nm時(shí)不同照射強(qiáng)度下光電探測(cè)器的I-V曲線。

挑戰(zhàn)f)根據(jù)e圖中在Vds=5V時(shí)測(cè)量的光電流計(jì)算所得響應(yīng)度和檢測(cè)率。被顛h,i)使用示波器測(cè)量的上升和衰減曲線。

g)Vds=5V時(shí),工業(yè)在功率強(qiáng)度為1.481mW·cm-2的360nm光照下,器件光響應(yīng)隨時(shí)間的變化。Ga2In4S9薄片基光電探測(cè)器具有出色的紫外檢測(cè)能力(Rλ=111.9A·W-1,產(chǎn)業(yè)外量子效率=3.85×104%,產(chǎn)業(yè)360nm時(shí)探測(cè)率D*=2.25×1011Jones),響應(yīng)速度快(τring≈40ms,τdecay≈50ms)。

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