成績圖1：非晶氮化硅（SiN）/氧化硅（SiO）超晶格側(cè)壁調(diào)制生長超高密度均勻堆疊硅納米線陣列結(jié)構(gòu)。此項研究建立在課題組近期在3D納米線生長調(diào)控的基礎(chǔ)之上（見后續(xù)列表），山年數(shù)說年首次展示了精控納米生長技術(shù)在高均勻性尺寸調(diào)控和大規(guī)模三維構(gòu)架制備上的巨大潛力，山年數(shù)說年其低溫生長技術(shù)（350oC）也為實現(xiàn)真正意義上的Monolithic3D前端-后端器件集成帶來了全新的技術(shù)可能和突破方向。東m東營單請工作近期發(fā)表于美國化學(xué)學(xué)會《納米快報》上：UnprecedentedUniform3DGrowthIntegrationof10-LayerStackedSiNanowiresonTightlyConfinedSidewallGrooves,NanoLetters20(10),10.1021/acs.nanolett.0c02950(2020)。

與至上而下的光刻技術(shù)相比，秒｜至下而上的納米線溝道生長技術(shù)則更為高效、精細(xì)且富于變化。成績相關(guān)技術(shù)成果已經(jīng)通過與華為公司合作共同提交申請了多項技術(shù)專利。

隨著堆疊層數(shù)增加（以提供更大電流驅(qū)動），山年數(shù)說年其制備成本將不斷提高，并給保持分立溝道尺寸均勻性帶來技術(shù)挑戰(zhàn)。

近期GlobalFoundry，東m東營單請Samsung和Intel相繼推出了新一代全包裹柵（gate-all-around,GAA）納米線溝道晶體管器件，東m東營單請其中最為關(guān)鍵的垂直堆疊納米線溝道（verticallystackeddiscretenanowirechannels）需要首先進行多層SiGe/Si疊層外延生長，然后通過極深紫外光刻和選擇性Ge層刻蝕等工藝實現(xiàn)。logo設(shè)計則采用鑲嵌式設(shè)計，秒｜配以隱藏式呼吸燈設(shè)計，讓整體散發(fā)科技光感。

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