根據(jù)生長(zhǎng)機(jī)理，清邀原位制備可分為自下而上和自上而下兩種途徑。圖4.在不同晶面選擇性沉積PbO2和Pt的SEM圖(a)金紅石顆粒(b)銳鈦礦顆粒[6]（3）表面內(nèi)建電場(chǎng)盡管在具有明確晶面的各種半導(dǎo)體晶體中觀察到與表面有關(guān)的氧化還原反應(yīng)位點(diǎn)，新年把但其潛在機(jī)制仍未得到很好的理解。除了耦合材料的性質(zhì)之外，愛(ài)帶異質(zhì)結(jié)中形成界面的晶面也對(duì)性能有重要影響。

比如，相約在光催化制氫過(guò)程中，在{101}面和{001}面共存的Cu2WS4晶體中，光腐蝕僅發(fā)生在{101}面。因此，大潤(rùn)不同晶面的曝露可以被精細(xì)調(diào)控，這被稱為晶面工程。

汰漬表面態(tài)對(duì)表面反應(yīng)過(guò)程的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)至關(guān)重要。

就(101)、清邀(100)、(001)、(103)f、(103)s和(110)低指數(shù)面而言，水分解反應(yīng)被發(fā)現(xiàn)是一種結(jié)構(gòu)敏感的反應(yīng)。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀，新年把投稿郵箱:[email protected].投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信：cailiaorenVIP.。

目前，愛(ài)帶硒化銻（Sb2Se3）薄膜太陽(yáng)電池最高光電轉(zhuǎn)換效率已提升至9.2%，愛(ài)帶其中最關(guān)鍵的光吸收層Sb2Se3薄膜制備主要采用熱蒸發(fā)（包括CSS、VTD和RTE）結(jié)合原位襯底溫度控制析晶的工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，相約將無(wú)封裝的全無(wú)機(jī)Sb2Se3薄膜太陽(yáng)電池存放于空氣中，1000小時(shí)內(nèi)仍能保證90%的初始光電轉(zhuǎn)換效率，顯示了良好的穩(wěn)定性。

深圳大學(xué)范平教授課題組梁廣興博士（副研究員）為該文通訊作者，大潤(rùn)唐戎博士后、鄭壯豪副研究員和蘇正華副研究員為該文共同第一作者。最后制備出底襯結(jié)構(gòu)Mo/Sb2Se3/CdS/ITO/Ag平面異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，汰漬首次獲得基于濺射后硒化法制備的Sb2Se3薄膜太陽(yáng)電池最高光電轉(zhuǎn)換效率為6.06%，汰漬同時(shí)開(kāi)路電壓增加到494mV（目前純Sb2Se3薄膜太陽(yáng)電池最高開(kāi)路電壓值）。