純層狀五氧化二釩具有較高的理論容量（585mAh/g），目標(biāo)但容量衰減嚴(yán)重。此外，力互力持還著重介紹了近年來(lái)在調(diào)控鋅配位環(huán)境、均勻界面電場(chǎng)、誘導(dǎo)鋅沉積等方面的研究進(jìn)展。KVO/SWCNTs陰極具有Zn2+/H+插入/脫嵌機(jī)制，新型系統(tǒng)下省續(xù)加離子轉(zhuǎn)移速率快。

歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀，電力投稿郵箱:[email protected].投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信：cailiaorenVIP。鋅陽(yáng)極由于枝晶生長(zhǎng)嚴(yán)重，建設(shè)間電濟(jì)循環(huán)壽命差，庫(kù)侖效率低，以及不可逆的副產(chǎn)物，如H2和不活潑的氧化鋅。

近日，目標(biāo)復(fù)旦大學(xué)沈劍鋒教授團(tuán)隊(duì)成功地制備了具有新穎的中國(guó)古代錢幣結(jié)構(gòu)（厚度≈50nm，目標(biāo)直徑≈500nm，中間有一個(gè)孔）的高度均勻、圓整的新型納米二氧化釩（VO2）納米板。

該研究成果以LocalizedOstwaldRipeningGuidedDissolution/RegrowthtoAncientChineseCoin-shapedVO2?NanoplateswithEnhancedMassTransferforZincIonStorage為題，力互力持發(fā)表在Adv.Funct.Mater.上。通過(guò)測(cè)量光束位置的平移，新型系統(tǒng)下省續(xù)加可以計(jì)算出基板曲率，可以根據(jù)Stoney方程將其轉(zhuǎn)換為應(yīng)力厚度值。

圖二十四電化學(xué)膨脹法原位電化學(xué)膨脹法（ECD）是研究復(fù)合電極有效高度變化的最合適技術(shù)，電力該技術(shù)最早于1970年代后期引入。通常，建設(shè)間電濟(jì)SICM的垂直分辨率為10nm，橫向分辨率約為50nm。

與傳統(tǒng)的XRD相比，目標(biāo)后者不僅意味著更高的光子通量X射線，而且意味著更加復(fù)雜的數(shù)據(jù)分析和昂貴的成本。EIS不僅用于表征發(fā)生在電極/電解質(zhì)界面的電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)機(jī)理，力互力持而且還用于確定限制電極性能的因素，力互力持例如電導(dǎo)率，電荷轉(zhuǎn)移特性，鈍化層的特性等。