领跑线束制造，ICH Shenzhen 2021深圳线束展号角升起

c）在300~900nm的Vd =2V时，领跑原始SnS2器件的时间分辨宽带光响应。

在O2等离子体处理过程中，线束线束SnS2薄片的表面被蚀刻，同时注入了氧原子。强O2等离子体处理工艺有助于将氧原子注入到SnS2中，制造展号从而影响了漏极电流和光载流子的重组。

深圳d）原始SnS2 FETs的相应输出特性。角升团队相关重要文献：Zhou,L.Gan,W.M.Tian,Q.Zhang,S.Y.Jin,H.Q.Li,Y.Bando,D.Golberg,T.Y.Zhai*,UltrathinSnSe2FlakesGrownByChemicalVaporDepositionforHighPerformancePhotodetectors,Adv.Mater.2015,22,8035-8041.Zhou,X.Z.Hu,S.S.Zhou,H.Y.Song,Q.Zhang,L.J.Pi,L.Li,H.Q.Li,J.T.Lü,T.Y.Zhai*,TunnelingDiodeBasedonWSe2/SnS2HeterostructureIncorporatingHighDetectivityandResponsivity,Adv.Mater.2018,30,1703286.Z.Hu,P.Huang,B.Jin,X.W.Zhang,H.Q.Li*,X.Zhou*,T.Y.Zhai*,Halide-InducedSelf-LimitedGrowthofUltrathinNonlayeredGeFlakesforHigh-PerformancePhototransistors,J.Am.Chem.Soc.2018,140,12909-12914.Lv,F.W.Zhuge*,F.J.Xie,X.J.Xiong,Q.F.Zhang,N.Zhang,Y.Huang,T.Y.Zhai*,Two-DimensionalBipolarPhototransistorEnabledbyLocalFerroelectricPolarization,Nat.Commun.2019,10,3331.Han,P.Huang,L.Li,F.K.Wang,P.Luo,K.L.Liu,X.Zhou,H.Q.Li,X.W.Zhang,Y.Cui*,T.Y.Zhai*,Two-dimensionalInorganicMolecularCrystals,Nat.Commun.2019,10,4728.F.K.Wang,T.Gao,Q. Zhang,Y. Hu,B. Jin,L. Li,X. Zhou,H.Q. Li,G.V.Tendeloo,T.Y. Zhai*,LiquidAlloyAssisted Growthof2DTernaryGa2In4S9toward High-PerformanceUVPhotodetection,Adv.Mater.2019,31,1806306.Luo,F.W.Zhuge*,F.K.Wang,L.Y.Lian,K.L.Liu,J.B.Zhang,T.Y.Zhai*,PbSeQuantumDotsSensitizedHigh-Mobility2DBi2O2SeNanosheetsforHigh-PerformanceandBroadbandPhotodetectionBeyond2µm,ACSNano2019, 13,9028-9037.Jin,F.Liang,Z.Y.Hu,P.Wei,K.L.Liu,X.Z.Hu,G.V.Tendeloo,Z.S.Lin,H.Q.Li,X.Zhou*,Q.H.Xiong*,T.Y.Zhai*, NonlayeredCdSeflakeshomojunctions, Adv.Funct.Mater. 2020,30,1908902.W.Shu,Q.J.Peng,P.Huang,Z.Xu,A.A.Suleiman,X.W.Zhang,X.D.Bai,X.Zhou*,T.Y.Zhai*,GrowthofUltrathinTernaryTeallite(PbSnS2)FlakesforHighlyAnisotropicOptoelectronics,Matter2020,2,977.F.K.Wang,Z.Zhang,Y.Zhang,A.M.Nie,W.Zhao,D.Wang,F.Q.Huang*,T.Y.Zhai*,HoneycomnRhI3FlakeswithHighEnvironmentalStabilityforOptoelectronics,Adv.Mater.2020,32,2001979.本文由木文韬翻译编辑。领跑c）原始SnS2的能带结构和DOS。

d-f）原始和经O2等离子体处理的SnS2薄片的d）O1s、线束线束e）S2p、f）S2p状态的XPS光谱。制造展号图5 SnS2器件的宽带光电特性a）原始SnS2器件的300~900nm的宽带光响应等值线图。

深圳e）经O2等离子体处理的SnS2 FETs的相应输出特性。

角升b）原始和经O2等离子体处理的SnS2薄片的光学图像。下面让我们一起来看看从中科大走向世界舞台的材料领域大牛!杨培东1988年以全校第一的成绩考入中国科学技术大学应用化学系，领跑1997年获得哈佛大学化学博士学位。

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已于NatureMater.、深圳 NatureNanotech.、 J.Am.Chem.Soc.、 Angew.Chem.Int.Ed.、 Adv.Mater等期刊发表论文150余篇，引用超过25000余次。研究成果颇丰，角升是国际知名的年轻学者。